Dielectric matrix influence on the photoluminescence properties of silicon nanocrystals

Ferraioli, L.; Cazzanelli, M.; Daldosso, Nicola; Mulloni, V.; Bellutti, P.; Yerci, S.; Turan, R.; Mikhaylov, A. N.; Tetelbaum, D. I.; Pavesi, L.

CATALOGO DEI PRODOTTI DELLA RICERCA

IRIS è la soluzione IT che facilita la raccolta e la gestione dei dati relativi alle attività e ai prodotti della ricerca. Fornisce a ricercatori, amministratori e valutatori gli strumenti per monitorare i risultati della ricerca, aumentarne la visibilità e allocare in modo efficace le risorse disponibili.

Photoluminescence properties of silicon nanocrystals embedded in five different oxide matrices are analyzed. Samples are silicon rich oxide and oxynitride produced by PECVD and ion implantation and crystalline and amorphous aluminum oxide implanted with silicon.

Titolo:	Dielectric matrix influence on the photoluminescence properties of silicon nanocrystals
Autori:	L. Ferraioli M. Cazzanelli Daldosso, Nicola V. Mulloni P. Bellutti S. Yerci R. Turan A. N. Mikhaylov D. I. Tetelbaum L. Pavesi mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2006
Rivista:	IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS
Abstract:	Photoluminescence properties of silicon nanocrystals embedded in five different oxide matrices are analyzed. Samples are silicon rich oxide and oxynitride produced by PECVD and ion implantation and crystalline and amorphous aluminum oxide implanted with silicon.
Handle:	http://hdl.handle.net/11562/477095
Appare nelle tipologie:	01.01 Articolo in Rivista

File in questo prodotto:

Non ci sono file associati a questo prodotto.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/11562/477095

Citazioni

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.